ተገናኝቷል የተሳሳተ የኃይል አቅርቦት አወንታዊ እና አሉታዊ የወረዳ ጭስ, ይህን አሳፋሪ እንዴት ማስወገድ እንደሚቻል?

የሃርድዌር መሐንዲሶች ብዙ ፕሮጀክቶች ቀዳዳ ቦርድ ላይ ተጠናቅቋል, ነገር ግን በአጋጣሚ የኃይል አቅርቦት አወንታዊ እና አሉታዊ ተርሚናሎች በማገናኘት ያለውን ክስተት አለ, ይህም ብዙ የኤሌክትሮኒክስ ክፍሎች እየነደደ ይመራል, እና መላው ቦርድ እንኳ ተደምስሷል, እና አለበት. እንደገና መገጣጠም ፣ ምን እንደምፈታው አላውቅም?

በመጀመሪያ ደረጃ, ግድየለሽነት የማይቀር ነው, ምንም እንኳን አወንታዊ እና አሉታዊ ሁለት ገመዶችን, ቀይ እና ጥቁር, አንድ ጊዜ ሽቦዎችን መለየት ብቻ ቢሆንም, ስህተት አንሰራም;አስር ግንኙነቶች አይሳሳቱም፣ ግን 1,000?ስለ 10,000ስ?በዚህ ጊዜ ካለን ጥንቃቄ የጎደለው ድርጊት የተነሳ ወደ አንዳንድ የኤሌክትሮኒካዊ ክፍሎች እና ቺፖች መቃጠል ዋናው ምክንያት አሁን ያለው በጣም ብዙ የአምባሳደር አካላት ተበላሽተዋል ስለዚህ የተገላቢጦሽ ግንኙነትን ለመከላከል እርምጃዎችን መውሰድ አለብን. .

በብዛት ጥቅም ላይ የዋሉት የሚከተሉት ዘዴዎች አሉ።

01 diode ተከታታይ አይነት ፀረ-ተገላቢጦሽ ጥበቃ የወረዳ

ወደፊት መራመድ እና መቀልበስ ያለውን diode ባህሪያት ሙሉ በሙሉ ለመጠቀም አንድ ወደፊት diode አዎንታዊ ኃይል ግብዓት ላይ በተከታታይ ተያይዟል.በተለመደው ሁኔታ ውስጥ, የሁለተኛው ቱቦ ይሠራል እና የወረዳ ሰሌዳው ይሠራል.

የኃይል አቅርቦቱ ሲገለበጥ, ዲዲዮው ይቋረጣል, የኃይል አቅርቦቱ ዑደት መፍጠር አይችልም, እና የወረዳ ቦርዱ አይሰራም, ይህም የኃይል አቅርቦቱን ችግር በተሳካ ሁኔታ ይከላከላል.

02 Rectifier ድልድይ አይነት ፀረ-ተገላቢጦሽ ጥበቃ የወረዳ
የኃይል ግብአቱን ወደ ዋልታ ያልሆነ ግብዓት ለመቀየር የማስተካከያውን ድልድይ ይጠቀሙ፣ የኃይል አቅርቦቱ የተገናኘም ይሁን የተገለበጠ ቦርዱ በመደበኛነት ይሰራል።

የሲሊኮን ዳዮድ የ 0.6 ~ 0.8V የግፊት ጠብታ ካለው ፣ germanium diode እንዲሁ የግፊት ጠብታ 0.2 ~ 0.4V አለው ፣ የግፊቱ ጠብታ በጣም ትልቅ ከሆነ ፣ የ MOS ቱቦ ለፀረ-ምላሽ ሕክምና ሊያገለግል ይችላል ፣ የ MOS ቱቦው የግፊት ጠብታ በጣም ትንሽ ነው፣ እስከ ጥቂት ሚሊሆም የሚደርስ ነው፣ እና የግፊት መውደቅ እዚህ ግባ የሚባል አይደለም።

03 MOS ቱቦ ፀረ-ተገላቢጦሽ ጥበቃ የወረዳ

የ MOS ቱቦ በሂደቱ መሻሻል ምክንያት የራሱ ባህሪያት እና ሌሎች ነገሮች, ውስጣዊ ተቃውሞዎችን መምራት አነስተኛ ነው, ብዙዎቹ ሚሊዮም ደረጃ ወይም እንዲያውም ትንሽ ናቸው, ስለዚህም የወረዳው የቮልቴጅ ውድቀት, በወረዳው ምክንያት የሚከሰተውን የኃይል መጥፋት በተለይ ትንሽ ነው, ወይም እንዲያውም ትንሽ ነው. , ስለዚህ ወረዳውን ለመጠበቅ የ MOS ቱቦን ይምረጡ የበለጠ የሚመከር መንገድ ነው.

1) የ NMOS ጥበቃ

ከታች እንደሚታየው: ኃይል-በ ጊዜ, የ MOS ቱቦ ውስጥ ጥገኛ diode በርቷል, እና ስርዓቱ አንድ loop ይመሰረታል.የምንጭ ኤስ አቅም 0.6V ያህል ሲሆን የበሩ ጂ አቅም ግን Vbat ነው።የ MOS ቱቦ የመክፈቻ ቮልቴጅ እጅግ በጣም ብዙ ነው: Ugs = Vbat-Vs, በሩ ከፍ ያለ ነው, የ NMOS ds በርቷል, ጥገኛ ዲዮድ አጭር ዙር ነው, እና ስርዓቱ በ NMOS ds መዳረሻ በኩል ዑደት ይፈጥራል.

የኃይል አቅርቦቱ ከተቀየረ, የ NMOS የቮልቴጅ 0 ነው, NMOS ተቆርጧል, ጥገኛ ዳይዶው ይገለበጣል, እና ወረዳው ይቋረጣል, በዚህም መከላከያ ይፈጥራል.

2) የ PMOS ጥበቃ

ከታች እንደሚታየው: ኃይል-በ ጊዜ, የ MOS ቱቦ ውስጥ ጥገኛ diode በርቷል, እና ስርዓቱ አንድ loop ይመሰረታል.የምንጭ ኤስ አቅም Vbat-0.6V ያህል ነው, የበሩ ጂ አቅም 0. የ MOS ቱቦ የመክፈቻ ቮልቴጅ እጅግ በጣም ብዙ ነው: Ugs = 0 - (Vbat-0.6), በሩ ዝቅተኛ ደረጃን ያሳያል. ፣ የPMOS ds በርቷል ፣ ጥገኛ ዳይኦድ አጭር ዙር ነው ፣ እና ስርዓቱ በ PMOS ds መዳረሻ በኩል ዑደት ይፈጥራል።

የኃይል አቅርቦቱ ከተገለበጠ, የ NMOS የቮልቴጅ መጠን ከ 0 በላይ ነው, ፒኤምኦኤስ ተቆርጧል, ጥገኛ ዳይሬክተሩ ይገለበጣል, እና ወረዳው ይቋረጣል, በዚህም መከላከያ ይፈጥራል.

ማሳሰቢያ፡ NMOS tubes string ds ወደ አሉታዊ ኤሌክትሮድ፣ የPMOS tubes string ds ወደ አወንታዊ ኤሌክትሮድ፣ እና የጥገኛ diode አቅጣጫ ወደ ትክክለኛው የተገናኘ የአሁኑ አቅጣጫ ነው።

የ MOS ቱቦ የዲ እና ኤስ ምሰሶዎች ተደራሽነት፡- ብዙውን ጊዜ የኤምኦኤስ ቲዩብ ከኤን ቻናል ጋር ጥቅም ላይ በሚውልበት ጊዜ አሁኑኑ በአጠቃላይ ከዲ ምሰሶው ውስጥ ይገባል እና ከኤስ ምሰሶው ይወጣል ፣ እና PMOS ይገባል እና D ከኤስ. ምሰሶ, እና በዚህ ወረዳ ውስጥ ሲተገበር ተቃራኒው እውነት ነው, የ MOS ቱቦው የቮልቴጅ ሁኔታ በ parasitic diode መምራት በኩል ይሟላል.

በጂ እና ኤስ ምሰሶዎች መካከል ተስማሚ ቮልቴጅ እስካልተፈጠረ ድረስ የ MOS ቱቦ ሙሉ በሙሉ ይበራል.ከተመራ በኋላ በ D እና S መካከል መቀያየር እንደተዘጋ ነው, እና የአሁኑ ከ D ወደ S ወይም S ወደ D ተመሳሳይ ተቃውሞ ነው.

በተግባራዊ አፕሊኬሽኖች ውስጥ, የጂ ፖል በአጠቃላይ ከተቃዋሚ ጋር የተገናኘ ነው, እና የ MOS ቱቦ እንዳይሰበር ለመከላከል, የቮልቴጅ ተቆጣጣሪ ዳይኦድ መጨመርም ይቻላል.ከመከፋፈያ ጋር በትይዩ የተገናኘ capacitor ለስላሳ ጅምር ውጤት አለው።በአሁኑ ጊዜ ጅረት መፍሰስ ሲጀምር, capacitor ተሞልቷል እና የጂ ፖል ቮልቴጅ ቀስ በቀስ ይገነባል.

ለ PMOS, ከ NOMS ጋር ሲነጻጸር, Vgs ከመነሻው ቮልቴጅ የበለጠ መሆን አለበት.የመክፈቻው ቮልቴጅ 0 ሊሆን ስለሚችል, በዲኤስ መካከል ያለው የግፊት ልዩነት ትልቅ አይደለም, ይህም ከ NMOS የበለጠ ጠቃሚ ነው.

04 ፊውዝ ጥበቃ

ብዙ የተለመዱ የኤሌክትሮኒክስ ምርቶች የኃይል አቅርቦቱን ክፍል በፋይስ ከከፈቱ በኋላ ሊታዩ ይችላሉ, በኃይል አቅርቦቱ ውስጥ ይገለበጣል, በወረዳው ውስጥ በትልቅ ጅረት ምክንያት አጭር ዙር አለ, ከዚያም ፊውዝ ይነፋል, ለመከላከል ሚና ይጫወታሉ. ወረዳ, ነገር ግን በዚህ መንገድ ጥገና እና መተካት የበለጠ አስቸጋሪ ነው.